オンセミ、AIデータセンター向けSiC基盤で電力密度を30％向上

オンセミは、第4世代シリコンカーバイド（SiC）プラットフォーム「EliteSiC M4」を発表しました。
前世代と比べて最大30％の電力密度向上と35％の損失低減を実現しています。
AIデータセンターや電気自動車、エネルギーインフラ向け電源システムの小型化と高効率化を支援します。

記事の概要

EliteSiC M4は、トレンチ構造を採用した第4世代のSiCプラットフォームです。
導通性能とスイッチング性能を高め、電源システムの電力密度向上と損失低減を図っています。
AIデータセンターでは、1メガワット当たりからより多くの演算能力を引き出せる設計を支援します。
電気自動車では、小型で高効率なトラクションインバーターにより、航続距離の延伸に寄与します。
エネルギーインフラでは、太陽光発電や蓄電システムなどの電力変換損失の低減を目指します。
比オン抵抗（RSP）は前世代比で20％から50％低減し、より高速なスイッチングに対応します。
スイッチング性能指数は、ハードスイッチングで67％、ソフトスイッチングで50％向上しています。
車載トラクションインバーター向けの750Vベアダイは現在供給中で、最大1200Vの製品を2027年から順次供給する予定です。

記事のポイント

1. AI電源の高密度化： AIデータセンターで電力インフラを増設する負担を抑えながら、演算能力の拡張を支援します。
2. 損失と冷却要件を低減： 最大35％の損失低減により、システムのサイズや冷却要件を最適化しやすくします。
3. 750V品を現在供給： 車載トラクション用途の750Vベアダイを供給中で、2027年には最大1200Vへ拡充する予定です。

このニュースがもたらす影響

• AIデータセンター事業者： 電力インフラを同じペースで増設できない場合でも、電源変換の高密度化と損失低減を前提に、冷却設備や拡張計画を見直す余地が広がると考えられます。
• 自動車メーカー： 750V品の供給開始と2027年以降の最大1200V対応を踏まえ、トラクションインバーターの小型化や航続距離、将来の車両電圧設計を検討しやすくなる可能性があります。
• 電力インフラ事業者： 太陽光発電や蓄電システムでは、電力変換時の損失と冷却要件を含めて機器構成を比較し、限られた設置スペースでの容量拡大を検討する材料になりそうです。

このニュースの背景

AIデータセンター、電気自動車、エネルギーインフラでは、必要な電力が増える一方で、設備のサイズや冷却要件を比例して増やさずに電力を供給することが課題になっています。
EliteSiC M4は、導通性能とスイッチング性能を高めるトレンチ構造を採用し、前世代比で電力密度と損失の改善を図っています。
車載トラクションインバーター向けでは750V品が供給中で、最大1200Vの製品は2027年から順次供給される予定です。

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