サムスン電子、ブロードコムとAI半導体協業を拡大

サムスン電子とブロードコムは8月25日、次世代AIインフラ向け半導体技術で協業を拡大する覚書を締結しました。
メモリ、ファウンドリ、先端パッケージングの各分野で、AIアクセラレータや通信向け半導体の開発・供給を進めます。
両社は2030年までの5年間で、協業規模が2,000億ドルを超えると見込んでいます。

記事の概要

覚書は、サンフランシスコで開催された「AIサミット」で発表されました。
メモリ分野では、ブロードコムの次世代AIアクセラレータ向けに、高帯域幅メモリ（HBM）などのメモリソリューションを供給する計画です。
ファウンドリ分野では、無線ブロードバンド通信（WBC）ソリューションなどのブロードコム製品を対象にします。
サムスン電子は、2ナノメートル（nm）以下の最先端プロセス技術を軸に協業を進めます。
さらに、2nmプロセスを基盤とする2.3D・2.5D統合など、先端パッケージング技術にも協業範囲を広げる方針です。
両社は、高性能かつ低消費電力なAI・ネットワーキング向け半導体の実現を目指します。
協業には、サムスン電子のメモリ・ファウンドリ技術と、ブロードコムのAI・接続技術を組み合わせます。
サムスン電子は、設計から製造までを一貫して支える半導体技術で、AI・高性能コンピューティング分野に対応します。

記事のポイント

1. 協業規模は2000億ドル超： 両社は2030年までの今後5年間で、メモリとファウンドリ両分野の協業規模が2,000億ドルを超えると見込んでいます。
2. HBMをAIアクセラレータへ： サムスン電子はブロードコムの次世代AIアクセラレータ向けに、HBMを含むメモリソリューションを供給する計画です。
3. 2nmと先端実装で協業： ブロードコム製品の製造で2nm以下のプロセスを活用し、2.3D・2.5D統合などの先端パッケージングにも取り組みます。

このニュースがもたらす影響

• AI基盤の調達企業： AIアクセラレータや通信向け半導体を調達する企業は、メモリ、製造、先端パッケージングを個別に選ぶだけでなく、2030年までの供給体制を一体で評価する必要が高まりそうです。
• 半導体メーカー： メモリとファウンドリに加えて先端パッケージングまで組み合わせる提案が競争軸になり、各社には単一工程の性能だけでなく、設計から製造までの連携力を示すことが求められそうです。
• AIインフラ事業者： 高性能・低消費電力の半導体を必要とする事業者は、AIアクセラレータやネットワーキング製品の設計段階から、HBM、2nmプロセス、先端実装の組み合わせを検討する可能性があります。

このニュースの背景

AIの進化に伴い、メモリ、ロジック、先端パッケージングをまたぐ半導体統合技術への需要が生まれています。
今回の協業は、サムスン電子のメモリ・ファウンドリ技術と、ブロードコムのAI・接続技術を組み合わせるものです。
AIアクセラレータや通信向け半導体では、高性能化と低消費電力を両立するため、製造プロセスと実装技術を含めた開発体制が重視されています。

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