SAIMEMORYと新光電気工業は9月28日、次世代メモリー技術「ZAM」の研究開発と商用化に向け、基本合意書を締結したと発表しました。
ZAMは、高密度・広帯域・低消費電力を特徴とし、大規模AIモデルの学習や推論への活用を想定しています。
両社は、メモリー技術と半導体パッケージ技術を組み合わせ、研究開発から製造技術の確立、将来の商用化まで協力します。
記事の概要
ZAMは、SAIMEMORYが開発を進める「Z-Angle Memory」と呼ぶ次世代メモリー技術です。
SAIMEMORYは、ソフトバンクの100%子会社で、NEDOの先端半導体製造技術の開発事業で代表事業者を務めています。
新光電気工業は、半導体パッケージ事業で培った基板の設計・製造技術や高密度実装技術を提供します。
今回の協業では、新光電気工業がZAMの研究開発と商用化に必要な実装技術および製造技術の確立に取り組みます。
ZAMは、大規模AIモデルの学習や推論など、大量のデータを高速処理する用途を想定しています。
AIデータセンターでは、GPUなどの計算能力に加え、演算装置へデータを供給するメモリー性能も処理能力を左右します。
両社はZAMによって、大容量かつ広帯域なデータ処理を可能にし、処理性能の向上と消費電力の削減を目指します。
研究開発から製造、将来の商用化までを一貫して進める体制を構築し、日本発の次世代メモリー技術の社会実装を目指します。
記事のポイント
- AI向けメモリーを開発: ZAMは大規模AIモデルの学習・推論を想定し、高密度・広帯域・低消費電力の実現を目指す技術です。
- パッケージ技術を融合: 新光電気工業は基板設計・製造や高密度実装の知見を生かし、ZAMの実装・製造技術を確立します。
- 商用化まで連携: 両社は研究開発段階から量産化を見据え、製造技術の確立と将来の商用化まで協力します。
このニュースがもたらす影響
- 導入を検討する企業: AI基盤の設計ではGPUなどの演算性能だけでなく、データ供給を担うメモリーの帯域や消費電力まで含めて、将来の選択肢を比較する必要が強まりそうです。
- 半導体関連企業: メモリー単体の性能だけでなく、基板設計や高密度実装、量産を含む一体的な技術提案が求められ、パッケージ技術を持つ企業との連携が競争力に影響する可能性があります。
- データセンター事業者: 大規模AIの学習・推論を拡大する際、計算資源の増強だけでは電力効率を改善しきれないため、メモリーを含むシステム全体の構成を早期に検討することになりそうです。
このニュースの背景
生成AIの普及でAIシステムの規模が拡大し、データセンターでは計算性能の向上と電力消費の抑制を同時に進める必要があります。
AI処理ではGPUなどの演算能力に加え、演算装置へ大量のデータを高速に供給するメモリーの性能が、システム全体の処理能力を左右します。
そのため、高密度・広帯域・低消費電力を掲げるメモリー技術を、基板や高密度実装などの製造技術と結び付け、商用化まで見据える動きが出てきたと考えられます。
詳しい記事の内容はこちらから(引用元)
ソフトバンクの100%子会社であるSAIMEMORYと新光電気工業は、高密度・広帯域・低消費電力を特徴とする次世代メモリ…
https://japan.zdnet.com/article/35253036/