A.T.カーニー、AI需要でフラッシュ供給逼迫の長期化を分析

A.T. カーニー株式会社は、AI需要の拡大に伴うフラッシュメモリの供給不足を分析しました。
半導体メーカーの投資がNANDからHBM・DRAMへ移り、NANDの供給制約が長期化すると指摘しています。
企業に対し、製品構成や調達、ストレージ設計を一体で見直すよう提言しました。

記事の概要

同社は論考『深刻化するストレージ不足』を公開しました。
Kearney PERLabの需給モデルでは、企業向けQLC・TLCと先端の積層世代が、標準シナリオで2030年まで逼迫します。
2026～2029年のウエハー需要は年率8～12％増える一方、供給は年率2～4％の増加にとどまる見込みです。
NANDの設備投資は2026年に約5％増の約220億ドル、DRAMは約14％増の約610億ドルになる見通しです。
主流のクライアント向けTLCでは、2028年の需給緩和も部分的にとどまるとしています。
中国の増産が世界の買い手に届けば、主流TLCの需給は早ければ2028年に緩和する可能性があります。
一方、高帯域フラッシュ（HBF）の普及は、AI向けの高価格帯需要を生む可能性があります。
同社は、複数年契約やSKUの簡素化、階層型ストレージへの再設計などを提案しました。

記事のポイント

1. 投資先がNANDから移行： 半導体メーカーは、データ保存用NANDより利益率の高いHBM・DRAMへ投資を振り向けています。
2. 製品別に影響が分かれる： 産業制御や自動車向けでは、高信頼性TLC・pSLC製品の納期が20週間を超えています。
3. 調達と設計を再検討： 優先製品の選定、複数年契約、データ削減、セル種別の変更に対応する設計を提案しています。

このニュースがもたらす影響

• 導入を検討する企業： AI基盤や産業機器を運用する企業は、価格だけでなく必要な容量・信頼性・納期を製品別に整理し、複数年契約や代替設計をいつまでに準備するか決める必要がありそうです。
• 半導体・機器メーカー： 半導体や機器のメーカーは、供給を確保しやすい部材を前提に製品構成を絞り、セル種別や世代変更に対応できる設計を進めることが、納期リスクを抑える選択肢になりそうです。
• 政策担当者： 重要分野の政策担当者は、産業制御や自動車向けで納期が20週間を超える状況を踏まえ、調達先の分散や信頼できる供給を確認する枠組みを検討する必要がありそうです。

このニュースの背景

AI向けストレージ需要が拡大する一方、半導体メーカーの設備投資はNANDからHBM・DRAMへ移っています。
2026～2029年は、ウエハー需要が年率8～12％増えるのに対し、供給の増加は年率2～4％にとどまる見込みです。
企業向けQLC・TLCや先端の積層世代は2030年まで逼迫する標準シナリオが示されています。
中国の増産や高帯域フラッシュの普及によって、製品ごとの需給が異なる方向へ動く可能性もあります。

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