記事の概要
ロームのSiC MOSFETが、高電圧直流(HVDC)化が進むAIサーバー向けのベースバンドユニット(BBU)に採用されました。
この技術は、エネルギー効率の向上とコスト削減を実現するために重要です。
SiC MOSFETは、従来の半導体と比べて高温や高電圧に強く、優れたスイッチング性能を提供します。
その結果、AIサーバーの運用効率が向上し、長期的な運用コストの低減にも寄与します。
今後、AI技術の進化とともに、ロームのSiC MOSFETの活用がさらに広がることが期待されています。
記事のポイント
詳しい記事の内容はこちらから(引用元)
プレスリリース・ニュースリリース配信シェアNo.1|PR TIMES
ローム株式会社のプレスリリース(2026年5月21日 10時00分)ロームのSiC MOSFETが、HVDC化が進むAI…
https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000109.000062988.html
