記事の概要
ルネサスが初めて開発した双方向GaNスイッチは、AIデータセンターや太陽光発電の分野をターゲットにしています。
この新しいスイッチは、高効率でコンパクトな設計が特徴であり、エネルギーの変換効率を大幅に向上させることが期待されています。
特に、AIデータセンターでは膨大な電力を必要とするため、効率的な電力管理が重要です。
また、太陽光発電システムにおいても、双方向の特性により、発電した電力を効率的に利用することが可能になります。
ルネサスは、この技術を通じて持続可能なエネルギーの利用促進を目指しており、今後の展開が注目されています。
記事のポイント
詳しい記事の内容はこちらから(引用元)
日経クロステック(xTECH)
ルネサスエレクトロニクスは同社初となる双方向のGaN(窒化ガリウム)スイッチを発売し、量産を始めた。耐圧は650Vで、…
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/11668/