サムスン電子は、12層のDRAMモジュールを積層した広帯域幅メモリー「HBM3E 12H」を開発しました。
最大容量でありながら高い帯域幅を持ち、1280GB/秒の帯域幅と36GBの容量を実現しています。
HBMは複数のDRAMモジュールを垂直に積み重ねた構造であり、サムスンの新製品では12のDRAMモジュールが積み重ねられています。
サムスンはTC NCFという熱圧着型非導電性フィルムを採用することで、HBM3E 12Hの垂直方向の密度を増加させ、性能と容量を向上させました。
この高性能なメモリーにより、データセンターの総所有コストを削減することができるとしています。
サムスン電子は、12層のDRAMモジュールを積層した広帯域幅メモリー（HBM）「HBM3E 12H」を開発したと発表した…
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